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陶瓷基片 >> 氮化铝陶瓷基片 >> 氮化铝陶瓷片
氮化铝陶瓷片
 

 
简要介绍
 氮化铝陶瓷基片,热导率高,电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电损耗小,无毒性,是取代BeO陶瓷的理想材料,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
详细参数

氮化铝陶瓷(ci)基片(AlN)

      AlN陶瓷基片是(shi)新(xin)一代高(gao)性能陶瓷基片,具(ju)有(you)很高(gao)的(de)热导率(理论(lun)值为(wei)319W/m.K,商(shang)品(pin)化的(de)AlN基片热导率大于140W/m.k)、较低的(de)介(jie)电常(chang)数(8.8)和(he)(he)介(jie)电损耗(~4×104)、以及(ji)和(he)(he)硅相配比的(de)热膨胀系数(4.4×10-4/℃)等优点,化学组成 AI 65.81%N 34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,单晶无色透明,常压下的升华分解温度为2450℃

       氮化铝陶瓷(ci)基片,热导率(lv)高,电性能好、热膨胀系数与Si片接近,强度高(gao),耐高(gao)温(wen),耐化学腐(fu)蚀,电阻率高(gao),介电损耗小,无毒性,是取代BeO陶瓷的理想材料,是(shi)理想的大规模(mo)集(ji)成电路散热基(ji)板(ban)和封装(zhuang)材料。

      主(zhu)要应用于:高密度混合电(dian)(dian)路、微波功率器件(jian)(jian)、电(dian)(dian)力电(dian)(dian)子(zi)器件(jian)(jian)、光电(dian)(dian)子(zi)部(bu)件(jian)(jian)、半导体(ti)致(zhi)冷等产品中做高性能基片(pian)材(cai)料(liao)和封(feng)装材(cai)料(liao),广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。

产品特点
  • 高导热性
  • 热膨胀系数跟Si接近
  • 优良的绝缘性能
  • 较低介电常数和介质损耗

AlN(氮化铝)陶瓷基片主要性能指标
性能内容
性能指标
体积密度 (g/cm3)
3.335
抗热震性
无裂纹、炸裂
热导率 (30℃, W/m.k)
≥170
膨胀系数 (/℃, 5℃/min, 20-300℃)
2.805×10-6
抗折强度 (MPa)
382.7
体积电阻率(Ω.cm)
1.4×1014
介电常数(1MHz)
8.56
化学稳定性 (mg/cm2)
0.97
击穿强度 (KV/mm)
18.45
表面粗糙度(μm)
0.3~0.5
翘曲度(length‰)
≤2‰
外观/颜色
致密、细晶/ 暗灰色

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 纯度:99%

 颜色:灰白色

 尺寸:100x100x1.0mm以内或者根据客户的要求切割

 毛坯,单双抛

 表面粗糙度: < 10nm(抛光)

 
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