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晶体材料 >> 半导体晶体 >> 砷化镓(GaAs)
砷化镓(GaAs)
 

06
 
简要介绍
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详细参数

主要性能参数

单(dan)晶

掺杂

导(dao)电类型

载流子浓度cm-3

位错密度cm-2

生长方法

标准基片(mm

GaAs

Si

N

>5×1017

<5×105

VGF(垂(chui)直梯(ti)度(du)凝固法)

HB(垂直布(bu)里奇曼法)

Dia2″×0.35

Dia100×0.35

晶(jing)向

(100) 0°±0.5°

(100) 2°±0.5°off toward <111>A

(100)15°±0.5°off toward <111>A

尺寸(cun)(mm)

25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm

可按照(zhao)客(ke)户需(xu)求,定(ding)制特殊方向和(he)尺(chi)寸的衬(chen)底

表面粗糙度(du)

Surface roughness(Ra):<=5A
可提供原子粒显微镜(AFM)检测报告

抛光

单面(mian)或双(shuang)面(mian)

包(bao)装

100级洁净袋,1000级超净室

 
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