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薄膜衬底 >> 半导体薄膜基片 >> 硅(Si)
硅(Si)
 

02
 
简要介绍
Si 用途:用作半导体材料,大功率晶体管,整流器,太阳能电池等。 
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详细参数

主要(yao)性(xing)能参数

晶体结构

面心立方

熔点(℃)

1420

密度

2.4(g/cm3

掺杂物质

不参(can)杂(za)

B

P

类 型

 NP

P

N

电 阻 率

>1000Ωcm

10-3~40Ωcm

102~104Ωcm

E P D

≤100∕cm2

≤100∕cm2

≤100∕cm2

氧含量(∕cm3

≤1~1.8×1018

≤1~1.8×1018

≤1~1.8×1018

碳含量(∕cm3

≤5×1016

≤5×1016

≤5×1016

尺寸

10×10mm、15×15mm、Dia50.8mmDia76.2mmDia100mm

可按(an)照客(ke)户需求(qiu),定制(zhi)特殊方向(xiang)和(he)尺寸的基片

厚(hou)度

0.3-0.5mm、1.0mm

尺寸(cun)公(gong)差(cha)

<±0.1mm

厚(hou)度(du)公(gong)差

<±0.015mm特殊(shu)要求可达到<±0.005mm)

抛光

单面(mian)或双面(mian)

晶(jing)面定(ding)向(xiang)精(jing)度

±0.5°

边缘(yuan)定向精度

2°(特殊要求(qiu)可达到1°以内)

取向

<100>、<110>、<111>等

包(bao)装

100级洁净袋(dai),1000级超净室

 
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